基于Luv色度坐标图像分割方法的孔洞参数计算

针对成像测井解释中孔洞参数定量计算的准点，提出用基于Luv色度坐标进行图像分割的方法来定量计算孔洞的面积、面孔率等相关参数。采用该方法得到的孔洞结果目标区域完整，可以方便地计算出孔洞面积和面孔率等参数。     

新抗冲型ACR的合成与研究

采用种子乳液聚合法制备了含有PBA＼PMMA＼PS三种组分的丙烯酸酯类抗冲型改性剂ACR，在ACR的幔层结构中引入接枝剂甲基丙烯酸烯丙酯（ALMA）来完善幔层结构，从而实现核一壳之间良好的结合，用红外光谱（FTIR）和差示扫描量热法（DSC）对ACR的组成和结构进行表征。研究结果表明：由PBA＼PMMA＼PS三组分构成的ACR在抗冲击性能上要略优于由简单的PBA＼PMMA构成的ACR，苯乙烯单体（St）最多可以取代大约1／3壳层的甲基丙烯酸甲酯（MMA），甲基丙烯酸烯丙酯（ALMA）的引入对幔层结构的完善起了显著的作用。     

超微粉石墨层间化合物FeCl3-NiCl2-GICs的制备及电磁性能研究

以微粉石墨为主体材料合成出不同阶结构的FeCl3-NiCl2-GICs.应用XRD、SEM对产物的晶体结构与表面形貌进行分析表征.采用范德保法测量产物在常温常态下的电阻率,用MODEL9600振动磁强计测量GICs在0～7.958×105A/m磁场强度下的磁化强度、磁化率.测量数据表明异类原子FeCl3、NiCl2插入石黑层间后,GICs的电导率增加1.3～2.9倍,其磁性由石墨的抗磁性转变为顺磁性.     

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

Ti-45Al-10Nb合金的高温氧化行为

研究了Ti—45A1—10Nb(原子分数，％)合金在800-960℃在氧气和空气中的氧化行为．结果表明，该合金具有较好的高温抗氧化性能，其氧化增重速率与铁基耐热不锈钢相似或略优．与Ti—50A1合金相反，Ti-45A1-10Nb合金在空气中的氧化增重速率明显低于在纯氧中的氧化增重速率．X射线衍射与能谱分析表明，Ti-45Al一10Nb合金在氧气中的氧化产物主要有TiO2和Al2O3，但在空气中的氧化产物中有TiN相．这是降低氧化速率的主要原因，同时，合金元素Nb稳定了氧化层中的TiN相，因而提高了合金在空气中的抗氧化性能．     

压电振子径厚耦合振动的二维等效电路研究

提出了一种轴向极化压电圆环和圆片的径厚二维耦合等效电路模型。应用这一模型分析了它们的耦合振动,比较了不同尺寸比例下耦合振动与单一模式振动的异同,发现这种方法比一维等效电路方法能在较宽尺寸范围内更准确的分析压电振子的振动问题。有限元计算和试验测量结果验证了这一模型对压电振子频率计算的准确性。     

数字平均法的误差分析

文章针对以前提出的声时测量中的随机数字平均技术，给出了其理论依据，详细讨论了误差的大小，并利用概率统计理论进行了论证。同时，文中还提出均匀延时数字平均技术。在实际应用中，对该类仪器的测量误差的估计和测量次数的选取以及这类仪器的设计有着重要的指导作用。     

EPON媒体接入控制的关键技术研究

文章简要介绍了基于以及太网的无源光网络（EPON）这种新型的接入网技术，将其与基于ATM技术的无源光网络（APON）的优缺点进行了比较，并对其媒体接入控制（MAC）的关键技术测距及上行接入进行了讨论，初步提出了光网络单元（ONU）的软、硬件实现方案。     

遗传算法的改进及其在电力系统无功优化中的应用

针对无功优化的动态、多目标、多约束以及非线性特点,提出了基于简单遗传算法的改进算法,在简单遗传算法的基础上,添加了自适应控制和适应度排序思想,并对算法终止准则进行了改进。以IEEE14节点标准测试系统为例对该算法进行了有效性验证。仿真结果表明,该方法对电力系统的无功优化效果良好。     

建立湖州广电网络信息业务平台的设想

叙述在数字电视平台上建立广电网络信息业务平台的设想,并提出建立湖州广电网络信息业务平台的几点看法。